Samsung Electronics объявила о начале широкомасштабного производства чипов 64-слойной флэш-памяти V-NAND объемом 256 Гб. Она предназначена для использования в устройствах хранения данных для серверов, ПК и мобильных девайсов.

Новая память обеспечивает скорость передачи данных до 1 Гб/с, что, как отмечают в компании, делает ее самой быстрой среди доступных модулей флэш-памяти NAND. 64-слойная V-NAND обеспечивает прирост производительности более чем на 30% по сравнению с 48-слойной памятью Samsung. Кроме того, новинка работает с напряжением 2,5 В, что обеспечивает примерно 30% преимущество в энергоэффективности, а надежность работы новых ячеек V-NAND увеличилась на 20%.

Samsung начала пробные выпуски SSD на базе 64-слойных чипов V-NAND 256 Гб в январе для ключевых партнеров и сейчас готова представить широкий спектр решений для мобильных и потребительских устройств. К ним относятся модули встроенной памяти UFS, десктопные SSD и внешние карты памяти, которые компания планирует представить в конце этого года.

Samsung намерена в этом году перевести на выпуск новых 64-слойных чипов V-NAND более 50% своего производства флэш-памяти NAND.

Комментарии закрыты.